长江存储申请半导体结构及其制作方法、存储器及其系统专利，提出一种半导体结构及其制作方法、存储器及其系统_电池知识

长江存储申请半导体结构及其制作方法、存储器及其系统专利，提出一种半导体结构及其制作方法、存储器及其系统

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2025-08-05 15:40:22

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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器及其系统”的专利，公开号CN120417368A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器及其系统；半导体结构的制作方法包括：形成堆叠设置的第一介质层和第二介质层，以及位于第一介质层中的半导体柱；形成贯穿第二介质层的第一凹槽，以暴露出半导体柱的顶面；在第一凹槽中形成连接结构，连接结构的第一表面与半导体柱的顶面接触；在第一凹槽中形成存储结构，存储结构与连接结构的第二表面接触；第一表面与第二表面分别为连接结构在第一方向上相对的两个面，第一方向为第一介质层和第二介质层的堆叠方向。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1395次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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