英飞凌申请基于HKMG技术均衡嵌入式非易失性存储器栅极高度方法专利，提供半导体器件及其制造方法
创始人
2025-06-23 20:08:56
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技有限责任公司申请一项名为“基于HKMG技术的嵌入式非易失性存储器中均衡栅极高度的方法”的专利，公开号CN120188234A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以具有存储器阵列，该存储器阵列具有双晶体管(2T)存储器单元，每个存储器单元包括非易失性存储器(NVM)晶体管和作为选择晶体管设置在至少一个凹部内的的高压(HV)场效应晶体管(FET)。该器件还包括逻辑区域，其中在该逻辑区域上形成有HV FET、输入/输出(I/)FET和低压(LV)/核心FET。还描述了其他实施方式。

来源：金融界

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