同芯祺科技取得半导体表面槽孔制备相关专利
创始人
2025-08-19 11:40:01
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金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,浙江同芯祺科技有限公司取得一项名为“半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备”的专利,授权公告号CN115274552B,申请日期为2022年07月。

天眼查资料显示,浙江同芯祺科技有限公司,成立于2021年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江同芯祺科技有限公司共对外投资了2家企业,财产线索方面有商标信息2条,专利信息69条。

来源:金融界

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