国家知识产权局信息显示,欧司朗OLED股份有限公司申请一项名为“光电子半导体芯片”的专利,公开号CN 121001476 A,申请日期为2019年3月。专利摘要显示,在一个实施方式中,光电子半导体芯片(1)包括:半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚度,其中包含边界值。沿背离半导体层序列(2)的方向在覆盖层(31)后跟随有镜(3)的两个和十个之间的中间层(32,33,34,35),其中包含边界值。中间层(32,33,34,35)交替地具有高折射率和低折射率。至少一个中间层(32,33,34,35)的光学厚度不等于L/4。沿背离半导体层序列(2)的方向在中间层(32,33,34,35)后跟随有镜(3)的至少一个金属层(39)作为反射层。
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