武汉脉冲芯电子取得SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置专利，实现SiC MOSFET双极型退化试验自动测试过程中稳定控制器件温度_电池知识

武汉脉冲芯电子取得SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置专利，实现SiC MOSFET双极型退化试验自动测试过程中稳定控制器件温度

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2025-12-06 18:07:32

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国家知识产权局信息显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司取得一项名为“一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置”的专利，授权公告号CN 223624368 U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请属于SiC功率半导体器件技术领域，具体公开了一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置。通过本申请，温度测量电路测量被测器件的温度，将实时测量到的温度发送给控制单元，以使控制单元产生控制冷却装置的控制信号，所述冷却装置在控制信号作用下，在实测温度超过器件允许的最高温度时，对被测SiC MOSEFET进行冷却散热，实现SiC MOSFET双极型退化试验自动测试过程中能稳定控制器件的温度。此外，SiC MOSFET双极型退化试验结束后，还可通过动态特性评估电路输出端连接数据处理单元接至人机交互模块，实现对被测SiC MOSFET的动态特性测试；通过漏源电压采样电路和控制单元完成对被测SiC MOSFET的静态特性测试，用于实现对退化状态的评估。

天眼查资料显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉脉冲芯电子科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

温度控制单元脉冲试验测试装置自动化专利二极管器件电路

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