长鑫新桥申请半导体结构及其形成方法专利，至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能
创始人
2025-06-28 17:09:22
0次
金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120224764A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能。半导体结构包括：半导体基底，以及位于半导体基底上的顶栅结构；隔离结构，环绕设置于顶栅结构的侧壁；隔离结构包括：第一保护层、第一隔离层、第二保护层和第二隔离层，其中，第一保护层环绕设置于顶栅结构的侧壁；第一隔离层环绕设置于第一保护层远离顶栅结构的一侧侧壁；第二保护层环绕设置于第一隔离层远离第一保护层的一侧侧壁，并覆盖顶栅结构的顶部；第二隔离层环绕设置于第二保护层远离第一隔离层的一侧侧壁，在垂直于半导体基底顶部表面的方向上，第二隔离层的高度低于顶栅结构的高度；第三保护层，覆盖第二保护层的顶部和第二隔离层的顶部。
天眼查资料显示，长鑫新桥存储技术有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
龙腾光电：7月31日融资买入8...
证券之星消息，7月31日，龙腾光电（688055）融资买入830.72万元，融资偿还1036.17万...
【机构调研记录】中海基金调研顺...
证券之星消息，根据市场公开信息及7月31日披露的机构调研信息，中海基金近期对1家上市公司进行了调研，...
大行评级丨高盛：上调三星电子目...
高盛发表研报指，三星电子第二季营业利润符合预期，该行上调其2026至2028年每股盈利预测约2%，并...
金升阳取得均流电源模块及电源系...
国家知识产权局信息显示，广州金升阳科技有限公司取得一项名为“一种均流电源模块及电源系统”的专利，授权...
国风新材：光敏聚酰亚胺（PSP...
有投资者向 国风新材（000859.SZ）提问公司研发的光刻胶产品主要有哪些？是否向客户送样或者已有...
又一成都基地投产 打造西部半导...
8月2日，苏州盛拓半导体成都研发生产基地开业投运，6000平方米一体化产业载体完成洁净实验室、精密装...
国电南自招标结果：芯片感知功能...
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，国电南京自动化股份有限公司7月30日发布《芯片感知...
南京银行招标结果：南京银行股份...
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，南京银行股份有限公司7月28日发布《南京银行股份有...
吉时利2000数字万用表三极管...
吉时利2000（Keithley2000）是一款高精度6½位台式数字万用表，具备13种测量功能，包括...