长鑫新桥申请半导体结构及其形成方法专利，至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能
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2025-06-28 17:09:22
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120224764A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能。半导体结构包括：半导体基底，以及位于半导体基底上的顶栅结构；隔离结构，环绕设置于顶栅结构的侧壁；隔离结构包括：第一保护层、第一隔离层、第二保护层和第二隔离层，其中，第一保护层环绕设置于顶栅结构的侧壁；第一隔离层环绕设置于第一保护层远离顶栅结构的一侧侧壁；第二保护层环绕设置于第一隔离层远离第一保护层的一侧侧壁，并覆盖顶栅结构的顶部；第二隔离层环绕设置于第二保护层远离第一隔离层的一侧侧壁，在垂直于半导体基底顶部表面的方向上，第二隔离层的高度低于顶栅结构的高度；第三保护层，覆盖第二保护层的顶部和第二隔离层的顶部。
天眼查资料显示，长鑫新桥存储技术有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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