长鑫新桥申请半导体结构及其形成方法专利,至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能
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2025-06-28 17:09:22
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金融界2025年6月28日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120224764A,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能。半导体结构包括:半导体基底,以及位于半导体基底上的顶栅结构;隔离结构,环绕设置于顶栅结构的侧壁;隔离结构包括:第一保护层、第一隔离层、第二保护层和第二隔离层,其中,第一保护层环绕设置于顶栅结构的侧壁;第一隔离层环绕设置于第一保护层远离顶栅结构的一侧侧壁;第二保护层环绕设置于第一隔离层远离第一保护层的一侧侧壁,并覆盖顶栅结构的顶部;第二隔离层环绕设置于第二保护层远离第一隔离层的一侧侧壁,在垂直于半导体基底顶部表面的方向上,第二隔离层的高度低于顶栅结构的高度;第三保护层,覆盖第二保护层的顶部和第二隔离层的顶部。

天眼查资料显示,长鑫新桥存储技术有限公司,成立于2021年,位于合肥市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息20条,此外企业还拥有行政许可21个。

来源:金融界

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