上海集成电路装备材料产业创新中心申请一种半导体栅极刻蚀方法专利使侧墙的均匀性大大提升_电池知识

上海集成电路装备材料产业创新中心申请一种半导体栅极刻蚀方法专利使侧墙的均匀性大大提升

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2025-06-28 17:09:25

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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体栅极刻蚀方法”的专利，公开号CN120221399A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体栅极刻蚀方法，通过在栅极表面及衬底表面形成介质薄膜层；利用刻蚀机台对所述介质薄膜层进行等离子体刻蚀以形成栅极侧墙；所述等离子体刻蚀包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤；在所述等离子体刻蚀中，对所述刻蚀机台的静电卡盘的不同区域应用对应的相对调温指令，使不同区域的栅极侧墙厚度一致；所述相对调温指令对主刻蚀步骤的温度与过刻蚀步骤的温度的调节方向相反。本发明所述的不同区域的栅极侧墙厚度差异，可以通过调节对应区域的静电卡盘温度来改善，因刻蚀的不同步骤的能量变化不同，进而利用刻蚀的不同步骤的反应机理的差异，将所述主刻蚀步骤的温度及所述过刻蚀步骤的温度向相反的方向调整，使侧墙的均匀性大大提升。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息485条，此外企业还拥有行政许可211个。

来源：金融界

方法显示创新中心栅极步骤材料产业导体集成电路专利半导体等离子体侧墙薄膜层

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