力创半导体申请功率模块封装结构专利，散热性能良好
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2025-12-08 13:36:12
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国家知识产权局信息显示，深圳市力创半导体有限公司申请一项名为“一种功率模块封装结构”的专利，公开号CN121076021A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明提出一种功率模块封装结构，包括层叠设置的第一导电散热外壳，芯片组和第二导电散热外壳，芯片组至少包括层叠设置的第一功率芯片组和第二功率芯片组，第一功率芯片组和第二功率芯片分别至少包括一个功率芯片单元，功率芯片单元至少包括相对设置的第一电极和第二电极；第一导电散热外壳设置于第一功率芯片组的功率芯片单元的第一电极一侧，并与第一功率芯片组的功率芯片单元的第一电极电连接；第二导电散热外壳设置于第二功率芯片组的功率芯片单元的第一电极一侧，并与第二功率芯片组的功率芯片单元的第一电极电连接，该功率模块封装结构散热性能良好，结构工艺简单。
天眼查资料显示，深圳市力创半导体有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本296.0784万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市力创半导体有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可3个。
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