一汽申请集成温度传感器的芯片结构及制作方法、车辆专利，解决现有芯片中温度传感器响应速度慢且占用额外芯片面积的问题_电池知识

一汽申请集成温度传感器的芯片结构及制作方法、车辆专利，解决现有芯片中温度传感器响应速度慢且占用额外芯片面积的问题

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2025-12-09 14:07:55

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国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆”的专利，公开号CN121099662A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆。该集成温度传感器的芯片结构，包括：芯片本体和温度传感器，芯片本体包括碳化硅层和设置于碳化硅层外层的栅极结构，芯片本体的中部区域设置有源区和非有源区，有源区和非有源区位于栅极结构下方，中部区域向外依次设置过渡区和终端区，过渡区和终端区围绕中部区域设置；温度传感器位于栅极结构下方的非有源区，温度传感器包括传感器本体以及与传感器本体连接的传感器电极，传感器本体设置在碳化硅层的上表面。本申请解决了现有技术的芯片中温度传感器响应速度慢且占用额外芯片面积的问题。

天眼查资料显示，中国第一汽车股份有限公司，成立于2011年，位于长春市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本7800000万人民币。通过天眼查大数据分析，中国第一汽车股份有限公司共对外投资了32家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息264条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可385个。

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来源：市场资讯

企业车辆投资一汽汽车芯片集成碳化硅结构专利有源区硅层温度传感器本体

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