中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低互连结构的电阻
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2025-12-26 18:36:35
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121215608A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底结构；形成覆盖所述基底结构的第一介质层，所述第一介质层中形成有互连结构，且所述第一介质层暴露所述互连结构的顶部；对所述互连结构进行改性处理，以使所述互连结构形成固定的晶面取向，且所述晶面取向表面能最低。由于本发明实施例中的互连结构的晶面取向固定，且形成的晶圆取向的表面能最低，从而降低互连结构的材料的晶界或者晶格缺陷，相应降低了互连结构中载流子电子散射的概率，提高互连结构中载流子电子的传输效率，进而降低了互连结构的电阻。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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