安赛思半导体申请基于双向GaN MOSFET的高频功率控制电源专利，实现了功率输出的高频、高精度与快速动态响应_电池知识

安赛思半导体申请基于双向GaN MOSFET的高频功率控制电源专利，实现了功率输出的高频、高精度与快速动态响应

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2025-12-29 17:09:21

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国家知识产权局信息显示，合肥安赛思半导体有限公司申请一项名为“一种基于双向GaN MOSFET的高频功率控制电源”的专利，公开号CN121216861A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于双向GaN MOSFET的高频功率控制电源，涉及电力电子技术领域，包括：功率侧模块，包括双向GaN MOSFET、交流电源及负载；控制侧模块，包括主控CPU、双向GaN MOSFET驱动器、电流采样单元及电压采样单元；主控CPU被配置为：获取期望输出功率；基于电流采样单元、电压采样单元的实时采样值，计算实际输出功率；依据期望输出功率与实际输出功率的误差，利用闭环控制算法生成高频PWM信号；高频PWM信号经双向GaN MOSFET驱动器进行功率放大后，驱动双向GaN MOSFET以高频开关方式对交流电源的工频波形进行斩波，以将实际输出功率调节至期望输出功率。实现了功率输出的高频、高精度与快速动态响应。

天眼查资料显示，合肥安赛思半导体有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1999.05万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥安赛思半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业功率安赛思采样投资半导体电源输出专利驱动器合肥高频输出功率

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