云南鑫耀半导体申请小尺寸砷化镓衬底冲洗装置专利，有效减少化学品消耗和表面氧化物_电池知识

云南鑫耀半导体申请小尺寸砷化镓衬底冲洗装置专利，有效减少化学品消耗和表面氧化物

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2026-01-01 01:07:22

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国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司申请一项名为“一种小尺寸砷化镓衬底冲洗装置及清洗方法”的专利，公开号CN121237685A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种小尺寸砷化镓衬底冲洗装置及清洗方法，属于半导体材料加工技术领域。该装置主要包括冲洗槽、喷淋系统和动态花篮驱动机构。喷淋系统设于冲洗槽内壁，动态花篮驱动机构通过伺服电机驱动丝杆，带动连接有花篮卡座的基座沿导向轴进行精密往复直线运动；同时，利用花篮卡座圆角与基板上固定斜块的配合，使花篮在水平移动过程中能产生可控的扭转角度偏移。这种复合运动能显著优化清洗液在衬底表面的流场分布，避免清洗死区。通过机械自动化代替人工操作，不仅极大地提升了1~2英寸小尺寸砷化镓衬底的清洗效率和片间均匀性，还有效减少了化学品消耗和表面氧化物，适用于规模化生产。

天眼查资料显示，云南鑫耀半导体材料有限公司，成立于2013年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48601.064401万人民币。通过天眼查大数据分析，云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可11个。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司，成立于2008年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本32645.804万人民币。通过天眼查大数据分析，云南中科鑫圆晶体材料有限公司参与招投标项目22次，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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