燕芯微电子申请半导体阵列及其制作方法专利，提高存储容量
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2026-01-02 19:08:47
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国家知识产权局信息显示，燕芯微电子（上海）有限公司;北京大学申请一项名为“半导体阵列及其制作方法、三维存储器及电子设备”的专利，公开号CN121262833A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体阵列及其制作方法、三维存储器及电子设备，涉及集成电路领域。半导体阵列包括：选通电路层，包括多个晶体管，晶体管与其相邻的另一晶体管共用漏极；多个存储列，对应多个晶体管设置，存储列包括沿列方向设置的多个存储单元；多个第一选通线，垂直设于选通电路层上，第一选通线连接一列存储列并与至少一个晶体管的源极连接；多个第二选通线，沿垂直于选通电路层的方向间隔排列，第二选通线连接与其同层设置的存储单元；在垂直于选通电路层的截面，存储单元位于第一选通线与第二选通线之间。选通电路层中的相邻晶体管共用漏极，晶体管布局更紧凑，可将多个存储列设置的更紧凑，减少存储列之间间距，提高存储容量。
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