扬杰科技取得一种平面栅MOSFET专利，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻
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2025-07-05 16:38:46
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种平面栅MOSFET”的专利，授权公告号CN223067435U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，一种平面栅MOSFET，涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目184次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息737条，此外企业还拥有行政许可234个。
来源：金融界
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