华虹半导体申请降低PECVD机台金属离子含量方法专利，有效降低金属离子含量
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2025-07-05 17:09:31
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“降低PECVD机台金属离子含量的方法”的专利，公开号CN120249943A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种降低PECVD机台金属离子含量的方法，提供等离子体增强型化学气相沉积机台；在等离子体增强型化学气相沉积机台的工艺腔内壁以及工艺腔中各部件的表面，将腔体预沉积层的普通氧化层替换为具有拉伸应力的氧化层，具有拉伸应力的氧化层原子键的长度比普通氧化层长，具有拉伸应力的氧化层能够收缩回原来的位置，形成碗状；将产品转移至离子体增强型化学气相沉积机台的工艺腔中，之后进行等离子体增强型化学气相沉积形成薄膜层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1678条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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