上海积塔半导体申请一种SRAM器件的制备方法专利，降低SRAM器件的功耗
创始人
2025-07-05 17:09:31
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种SRAM器件的制备方法”的专利，公开号CN120264741A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供一种SRAM器件的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，刻蚀衬底以形成沟槽以在衬底中限定出多个间隔设置的有源区，形成氧化层于衬底上，且氧化层填满沟槽以形成浅沟槽隔离结构，形成覆盖浅沟槽隔离结构的非晶硅遮挡层，并对有源区进行沟道掺杂，去除有源区上的氧化层及浅沟槽隔离结构上的非晶硅遮挡层，形成栅电极于有源区上。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1837次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1173条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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