长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等相关专利，降低半导体器件的比导通电阻
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2025-07-05 17:38:26
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120264839A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括，半导体本体，其设置有第一沟槽；还包括第一区域、第二区域、第一阱区和第二阱区；栅极位于第一沟槽内，绝缘层，包覆于栅极的表面；源极，位于第一表面，且至少部分源极覆盖第一沟槽，以及覆盖底壁的第二区域；漏极，位于第二表面，实现了增加导电沟道的数量，提升器件整体的沟道密度，进而降低半导体器件的比导通电阻，以及提升半导体器件的品质因数，改善半导体器件的动态特性。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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