国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121619908A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在第一区和与第一区相邻的衬底上形成初始栅极结构；在衬底上和初始栅极结构上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构暴露出部分所述初始栅极结构表面；以所述第一掩膜结构为掩膜，对初始栅极结构底部的第一区进行第一离子注入，在第一区内形成初始第一掺杂区；进行第一离子注入之后，以所述第一掩膜结构为掩膜刻蚀所述初始栅极结构，在衬底上形成分立的栅极结构，所述栅极结构暴露出所述初始第一掺杂区表面；以所述第一掩膜结构为掩膜，对所述初始第一掺杂区进行第二离子注入，在初始第一掺杂区内形成初始第二掺杂区。所述半导体结构的电压稳定性得到提升。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目106次，专利信息403条，此外企业还拥有行政许可293个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯