富芯半导体申请浅沟槽的形成方法及半导体结构专利，有效降低浅沟槽中第一隔离层的残留高度_电池知识

富芯半导体申请浅沟槽的形成方法及半导体结构专利，有效降低浅沟槽中第一隔离层的残留高度

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2026-03-07 15:59:27

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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种浅沟槽的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN121620179A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种浅沟槽的形成方法及半导体结构，包括提供初始半导体结构；初始半导体结构包括基底、电连结构、第一隔离层和第二隔离层，电连结构嵌设于基底，第一隔离层位于电连结构和基底之间，第二隔离层层叠于电连结构、第一隔离层和基底表面；图案化刻蚀初始半导体结构，以去除第一隔离层和电连结构表面的第二隔离层区域，并部分去除第一隔离层以形成位于第一隔离层顶部的初始凹槽；在具有初始凹槽的初始半导体结构上形成具有沟槽刻蚀窗口的阻挡层，沟槽刻蚀窗口横跨基底、第一隔离层和电连结构；基于刻蚀工艺于沟槽刻蚀窗口处形成浅沟槽。本申请能够有效降低浅沟槽中第一隔离层的残留高度，可控性高，提升半导体结构的精度和可靠性。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息367条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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