东芯半导体申请反熔丝芯片、检测电路及反熔丝检测方法专利，提高测试效率
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2026-03-17 02:34:26
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国家知识产权局信息显示，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法”的专利，公开号CN121662125A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开涉及电路检测技术领域，具体涉及一种反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法。反熔丝芯片包括：编程控制模块，与至少一个反熔丝存储单元的编程电压端连接；偏置‑选通控制模块，与至少一个反熔丝存储单元的偏置电压端连接；第一引脚，设置于反熔丝芯片顶层且与编程控制模块连接，被配置于与外部电源的正极连接，以接收外部电源提供的编程测试电压；第二引脚，设置于反熔丝芯片顶层且与偏置‑选通控制模块连接，被配置于与外部电源的负极连接，以接收外部电源提供的偏置测试电压；检测模块，分别与第一引脚和第二引脚连接，被配置于确定反熔丝存储单元的电阻值。可以提高测试效率和检测精度。
天眼查资料显示，东芯半导体股份有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本44224.9758万人民币。通过天眼查大数据分析，东芯半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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