铠侠申请半导体存储装置及其制造方法专利,本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
创始人
2026-03-17 02:48:12
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国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利,公开号CN121665567A,申请日期为2025年3月。

专利摘要显示,本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有第1积层体、第2积层体、源极线、第1柱状部、第2柱状部、第1位线及第2位线。所述源极线在所述第1方向上,配置在所述第1积层体与所述第2积层体之间。所述第1柱状部在第1方向上经过所述第1积层体内而延伸。所述第2柱状部在所述第1方向上经过所述第2积层体内而延伸。所述第1位线相对于所述第1积层体,配置在所述源极线的相反侧。所述第2位线相对于所述第2积层体,配置在所述源极线的相反侧。

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来源:市场资讯

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