南通富创申请基于数字孪生的高纯气体管路动态泄漏监测方法专利,使气压传感器能够根据管路状态调整压力数据
创始人
2026-07-11 13:22:19
0

国家知识产权局信息显示,南通富创精密制造有限公司申请一项名为“基于数字孪生的高纯气体管路动态泄漏监测方法”的专利,公开号CN122359664A,申请日期为2026年4月。

专利摘要显示,本发明涉及工业过程状态监测与故障诊断技术领域,具体地说,涉及基于数字孪生的高纯气体管路动态泄漏监测方法。其通过融合现有的气体传感器,构建气体管路的数字孪生模型,数字孪生模型包括与物理管路对应的第一虚拟模型和与气体传感器对应的第一虚拟传感器;然后从历史维护记录中,获取与气体传感器相关的历史压力数据以及与管路相关的管路维护数据。本发明通过历史维护记录构建出虚拟气压传感器,并将虚拟气压传感器与管路部件的维护状态进行关联,利用管路部件的维护状态作为虚拟气压传感器监测数据调整的依据,使气压传感器能够根据管路状态调整压力数据,从而将虚拟的压力数据与气体传感器结合,对气体泄漏进行综合监测。

天眼查资料显示,南通富创精密制造有限公司,成立于2020年,位于南通市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本95000万人民币。通过天眼查大数据分析,南通富创精密制造有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目27次,专利信息42条,此外企业还拥有行政许可9个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

相关内容

瑞纳智能新注册《智能热网监...
证券之星消息,近日瑞纳智能(301129)新注册了《智能热网监测装...
2026-07-11 13:53:42
星云越动申请基于链接符号拓...
国家知识产权局信息显示,北京星云越动科技有限公司申请一项名为“一种...
2026-07-11 13:53:27
国网上海申请基于多类型分布...
国家知识产权局信息显示,国网上海市电力公司申请一项名为“基于多类型...
2026-07-11 13:52:28
兴发集团获得发明专利授权:...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示兴发集团(600141)新获...
2026-07-11 13:51:44
广汽集团申请电机控制器相关...
来源:新浪证券-红岸工作室 7月11日消息,国家知识产权局信息显示...
2026-07-11 13:51:17
东莞市求尚电子科技申请多触...
国家知识产权局信息显示,东莞市求尚电子科技有限公司申请一项名为“多...
2026-07-11 13:50:41
联合动力获得实用新型专利授...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示联合动力(301656)新获...
2026-07-11 13:50:15
法雷奥电气化申请电压转换系...
国家知识产权局信息显示,法雷奥电气化公司申请一项名为“电压转换系统...
2026-07-11 13:49:22
2026年知名的实验室精密...
在实验室研发检测、精密仪器生产测试场景中,供电电压的稳定性直接关系...
2026-07-11 13:48:10

热门资讯

星云越动申请基于链接符号拓扑的... 国家知识产权局信息显示,北京星云越动科技有限公司申请一项名为“一种基于链接符号拓扑的星载嵌入式系统完...
东莞市求尚电子科技申请多触点渐... 国家知识产权局信息显示,东莞市求尚电子科技有限公司申请一项名为“多触点渐进式防打火大电流连接器及方法...
奥来德申请光敏聚酰亚胺相关专利... 来源:新浪证券-红岸工作室 7月11日消息,国家知识产权局信息显示,吉林奥来德光电材料股份有限公司申...
泓浒半导体申请晶圆传送角点插补... 国家知识产权局信息显示,泓浒(苏州)半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶圆传送角点插补与速度优化方...
【ETF动向】7月10日科创芯... 证券之星消息,7月10日,科创芯片ETF嘉实基金(588200)跌6.78%,成交额88.28亿元。...
用好大型游乐场人造雾系统:提升... 在运营大型游乐场时,不少管理者和技术人员会发现,虽然安装了人造雾系统,但实际使用中常遇到能耗偏高、雾...
美芯晟获得发明专利授权:“一种... 证券之星消息,根据天眼查APP数据显示美芯晟(688458)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种开...
宏明电子取得滤波器试验夹具相关... 来源:新浪证券-红岸工作室 7月11日消息,国家知识产权局信息显示,成都宏明电子股份有限公司申请一项...
中科无线半导体申请基于增强型G... 国家知识产权局信息显示,中科(深圳)无线半导体有限公司申请一项名为“一种基于增强型GaN HEMT集...
中芯集成电路取得半导体器件制造... 国家知识产权局信息显示,中芯集成电路(宁波)有限公司取得一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利...