中科无线半导体申请基于增强型GaN HEMT的单刀双掷开关电路专利，显著提升高频隔离度
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2026-07-11 13:29:15
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国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种基于增强型GaN HEMT集成器件的单刀双掷开关电路”的专利，公开号CN122371955A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于增强型GaN HEMT集成器件的单刀双掷开关电路，属于射频集成电路领域，其包括集成于高阻SOI衬底上的第一和第二开关单元。各单元由增强型GaN HEMT串并联构成，器件采用鳍状有源区配合环绕栅极结构，并在栅极下设p型掺杂层实现常关特性。相邻器件间设有贯穿至埋氧层且具底部凹陷的深沟槽隔离结构，电路还包含辅助RC线性化支路。本发明能够通过环绕栅极增强沟道控制力并降低导通电阻，利用深沟槽隔离与SOI衬底切断寄生路径，显著提升高频隔离度，同时通过RC支路改善大功率下的线性度，实现单正电源逻辑控制，提升了射频前端的集成度与通信可靠性。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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