中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了三维立体式的器件的性能_电池知识

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了三维立体式的器件的性能

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2026-07-14 15:27:47

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122396001A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的鳍部；位于所述鳍部上的交替堆叠的栅极结构和沟道层，其中，以位于沟道层之间的栅极结构为第一栅极结构，以位于沟道层顶部的栅极结构为第二栅极结构；位于所述第二栅极结构侧壁的伪栅侧墙；内侧墙，包括连接至所述沟道层，且位于所述第一栅极结构侧面的第一内侧墙和位于所述第二栅极结构侧面的伪栅侧墙与所述沟道层之间的第二内侧墙。本公开实施例提供的半导体结构中，由于所述第二内侧墙覆盖了所述第二栅极结构的侧面，避免了在形成栅极结构的过程中可能出现的源漏结构暴露导致的源漏结构的损伤，提高了三维立体式的器件的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息232条，专利信息15056条，此外企业还拥有行政许可484个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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