华润微电子申请半导体器件及其制造方法专利，减小插塞和底硅层之间的接触电阻
创始人
2026-09-08 14:27:33
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国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN122719179A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，半导体器件包括半导体衬底和背栅引出结构，其中，半导体衬底包括依次层叠设置的底硅层、埋氧层和顶硅层；顶硅层中形成有晶体管的源极区和漏极区，顶硅层上形成有晶体管的栅极结构，底硅层中朝向埋氧层一侧形成有掺杂接触区；背栅引出结构包括贯穿顶硅层和埋氧层后与掺杂接触区电连接的插塞。减小插塞和底硅层之间的接触电阻，以利于提升集成电路速度和降低功耗。
天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3282次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息159条，此外企业还拥有行政许可195个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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