芯联微电子申请降低芯片负载效应的芯片及方法专利，降低芯片的负载效应
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2025-07-15 11:39:31
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“芯片及降低芯片负载效应的方法”的专利，公开号CN120322005A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供了一种芯片及降低芯片负载效应的方法，属于半导体领域。该降低芯片负载效应的方法包括S1：提供一芯片；S2：将其中一个区域的鳍结构暴露，将剩余区域覆盖；S3：在暴露区域中的鳍结构形成源极和漏极。S4：重复步骤S2和S3，在剩余区域的鳍结构形成源极和漏极。本发明通过将PMOS区域中的三个区域的其中一个区域暴露，将其他区域的鳍结构覆盖，从而能够在暴露区域的鳍结构通过外延生长硅锗的方式形成源极和漏极。然后，按照同样地方式，在其他区域，形成源极和漏极，从而能够使得PMOS不同区域的源极和漏极的生长速率一致，使得源极和漏极的形貌大致相同，从而能够降低芯片的负载效应，提高芯片制作的良率和芯片的电性的可靠性。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目717次，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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