华虹宏力申请分栅快闪存储器的测试方法专利，可测试相关电容并判断是否在设定值内_厂商动态

华虹宏力申请分栅快闪存储器的测试方法专利，可测试相关电容并判断是否在设定值内

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2025-07-18 13:37:56

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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅快闪存储器的测试方法”的专利，公开号CN120340575A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种分栅快闪存储器的测试方法，包括：在部分有源区的表面形成栅极结构，栅极结构包括位于有源区表面的浮栅、位于浮栅表面的第一侧墙、位于浮栅形成的开口之间的字线、将第一侧墙以及浮栅均与字线隔开的第二侧墙；在栅极结构表面依次形成记忆栅和栅多晶硅，栅多晶硅露出部分记忆栅的表面；在栅多晶硅上形成第一通孔结构，在露出的记忆栅上形成第二通孔结构，在露出的有源区上形成第三通孔结构；测试第一通孔结构和第二通孔结构之间的第一电容或者测试第二通孔结构和第三通孔结构之间的第二电容，并判断第一电容是否在第一设定值内，判断第二电容是否在第二设定值内，判断第一电容和第二电容之和是否在第三设定值内。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目910次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

来源：金融界

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