亚芯半导体申请抑制银合金中银离子迁移方法专利，可减少银离子的电化学溶解与迁移
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2025-07-21 14:39:05
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，亚芯半导体材料（江苏）有限公司申请一项名为“一种有效抑制银合金中银离子迁移的方法”的专利，公开号CN120330526A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及银合金技术领域，尤其涉及一种有效抑制银合金中银离子迁移的方法，包括以下步骤：步骤1、将纯度大于99.99％的电解银投入熔炼炉中进行熔炼，使用覆盖剂覆盖，熔炼后得到银熔液；步骤2、向步骤1中的银熔液加入改性二氧化硅，得到银合金熔液；步骤3、对熔炼炉进行抽真空处理，然后向熔炼炉内通入氢气与氮气的混合气体，保温20‑60min；步骤4、银合金熔液经过静置后，转炉铸造。本发明提出的有效抑制银合金中银离子迁移的方法，通过合金内部的铟可细化晶粒并改善晶界结构，抑制银离子沿晶界迁移；合金表面的铟能够在银合金表面形成致密的氧化铟薄膜，隔绝外界湿气、电解质与银的直接接触，从而减少银离子的电化学溶解与迁移。
天眼查资料显示，亚芯半导体材料（江苏）有限公司，成立于2019年，位于常州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，亚芯半导体材料（江苏）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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