美光申请存储器子系统半好块处置专利，可对缺陷部分执行验证操作
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2025-11-25 12:07:41
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器子系统中利用有缺陷层面预编程的半好块处置”的专利，公开号CN121002573A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，识别存储器装置的块的有缺陷部分。用预编程电压模式对所述块的所述有缺陷部分进行编程。在对所述块的无缺陷部分执行编程操作之前，将所述预编程电压模式编程到所述块的所述有缺陷部分。使得对所述块的所述有缺陷部分执行验证操作。
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