铠侠申请半导体存储装置及制造方法专利
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2025-11-25 14:09:03
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国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利,公开号CN 121001353 A,申请日期为2021年3月。

专利摘要显示,本披露涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备:积层体,将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成,具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部,且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串的选择栅极线发挥功能,位于所述多层第1导电层的下层侧的多层第2导电层作为对于NAND串的字线发挥功能;多个柱结构,分别包含沿所述第1方向在所述积层体内延伸的半导体层;及第1触点,连接于与所述多个上升部中最上方的第1上升部对应设置的所述最上层的导电层,且贯通所述最上层的导电层进而连接于如下第1导电层,所述第1导电层与所述多层第1导电层中所述最上层的导电层邻接,且与位于所述第1上升部的下层侧的第2上升部对应设置。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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