铠侠申请半导体存储装置及制造方法专利
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2025-11-25 14:09:03
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN 121001353 A，申请日期为2021年3月。
专利摘要显示，本披露涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串的选择栅极线发挥功能，位于所述多层第1导电层的下层侧的多层第2导电层作为对于NAND串的字线发挥功能；多个柱结构，分别包含沿所述第1方向在所述积层体内延伸的半导体层；及第1触点，连接于与所述多个上升部中最上方的第1上升部对应设置的所述最上层的导电层，且贯通所述最上层的导电层进而连接于如下第1导电层，所述第1导电层与所述多层第1导电层中所述最上层的导电层邻接，且与位于所述第1上升部的下层侧的第2上升部对应设置。
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来源：市场资讯
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