SK恩普士申请半导体工艺用抛光组合物及基板抛光方法专利，可提供缺陷减少的被抛光表面
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2025-12-01 12:07:31
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国家知识产权局信息显示，SK恩普士有限公司申请一项名为“半导体工艺用抛光组合物及使用该组合物的基板的抛光方法”的专利，公开号CN121039243A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，根据本说明书的一实施例的半导体工艺用抛光组合物包含抛光颗粒。上述抛光颗粒的Rps值为0.5至2，上述Rps值为根据下式1的微孔比表面积与外部比表面积之比率。[式1]Rps=Ap/As。在上述式1中，上述Ap为上述抛光颗粒的微孔的比表面积，上述As为上述抛光颗粒的外部比表面积。当将上述半导体工艺用抛光组合物适用于化学机械抛光（CMP）抛光工艺时，能够表现出优异的抛光率，并可提供缺陷减少的被抛光表面。
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来源：市场资讯
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