北方集成电路创新中心申请一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件专利
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2025-12-02 19:36:16
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;清华大学申请一项名为“一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121057232A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括提供基层介电层；在基层介电层上形成交替堆叠的多层导电层和多层间隔介电层；奇数层导电层与偶数层导电层的材料不同；设置顶层介电层，顶层介电层设于多层导电层和多层间隔介电层背离基层介电层的一侧；形成第一连接孔并在各奇数层导电层的孔壁形成第一绝缘层；形成至少部分位于第一连接孔中，且与各偶数层导电层电性连接，并与各奇数导电层被第一绝缘层电性隔离的第一导电结构；形成第二连接孔并在各偶数层导电层的孔壁上形成第二绝缘层；形成至少部分位于第二连接孔中，且与各奇数层导电层电性连接，与各偶数电连接层被第二绝缘层电性隔离的第二导电结构。
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