长晶科技申请环形栅极半导体结构专利，获得更大的功率密度
创始人
2025-12-31 11:10:20
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国家知识产权局信息显示，江苏长晶科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121240476A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构。半导体结构包括：基底；单元元胞，位于基底上，单元元胞包括：栅极结构，包括栅极和栅极介质层，其中，栅极的俯视图呈圆环、椭圆环或者多边环形，栅极介质层包围栅极；沟道区，包括第一沟道区和第二沟道区，栅极结构的内侧和外侧分别为第一沟道区和第二沟道区。通过将栅极设计为环形，从而获得更大的功率密度，增加了半导体结构的性能。具体的，本申请的单元元胞的沟道分布更均匀，以改善高功率状态下的散热，从而获得更好的性能和更好的可靠性。
天眼查资料显示，江苏长晶科技股份有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本43503.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏长晶科技股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目62次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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