物元半导体申请一种半导体基底的刻蚀方法专利，有利于后续金属的填充良率
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2026-01-02 12:08:17
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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种半导体基底的刻蚀方法”的专利，公开号CN121237636A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体基底的刻蚀方法，该半导体基底的刻蚀方法包括提供一半导体基底，半导体基底的表面上形成有介质层。于介质层的表面形成光刻胶层，并于光刻胶层上形成光刻胶开口。基于光刻胶开口对介质层进行第一次刻蚀，以在介质层上形成第一开口。于第一开口的侧壁上形成保护层。基于光刻胶开口及形成有保护层的第一开口的侧壁进行第二次刻蚀，形成第二开口；其中，第二开口的侧壁角度小于第一开口的侧壁角度。由此，本发明通过两次刻蚀步骤对介质层进行刻蚀，并在两次刻蚀之间增加形成保护层的步骤，基于该保护层进行刻蚀可以减少第二次刻蚀时的横向刻蚀，以形成小的侧壁角度，进而有利于后续金属的填充良率。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本52199.9997万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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