东莞市汉思新材料申请温控晶振小间距芯片填充胶专利，杜绝空洞产生
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2026-01-19 13:07:40
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国家知识产权局信息显示，东莞市汉思新材料科技有限公司申请一项名为“一种温控晶振小间距芯片填充胶及其制备方法”的专利，公开号CN121343527A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及填充胶加工技术领域，更具体地说，涉及一种温控晶振小间距芯片填充胶及其制备方法，由以下重量份的原料制备得到：双酚A型环氧树脂、脂肪族环氧树脂、环氧改性硅油、环氧基笼型倍半硅氧烷、核‑壳纳米橡胶、表面活性剂份、固化剂、偶联剂、消泡剂、纳米硅微粉和稀释剂，所述环氧改性硅油由侧链环氧聚醚硅油和侧链环氧硅油组成，该配方制得的控晶振小间距芯片填充胶专门适配芯片与基板间距≤50微米的窄间隙场景，提升毛细流动能力，实现窄间隙完全填充，杜绝空洞产生；有效抑制气泡包裹，同时精准调节胶水粘度与固化速率，又保证胶层均匀成型；缓解热膨胀系数差异引发的剪切应力，提升柔性弯折与高温高湿环境下的结构稳定性。
天眼查资料显示，东莞市汉思新材料科技有限公司，成立于2016年，位于东莞市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本666万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市汉思新材料科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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