上海朗矽科技申请深沟槽硅电容器及其制备方法专利，能够有效降低制作成本和工艺难度_厂商动态

上海朗矽科技申请深沟槽硅电容器及其制备方法专利，能够有效降低制作成本和工艺难度

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2026-01-20 20:37:39

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国家知识产权局信息显示，上海朗矽科技有限公司申请一项名为“深沟槽硅电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121357906A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种深沟槽硅电容器及其制备方法。所述制备方法包括：在硅衬底上刻蚀形成若干个深沟槽，并交替沉积介质层和电极层，形成多层堆叠结构；在多层堆叠结构上位于深沟槽一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第一接触孔；采用第一制备工艺对第一接触孔进行制备，以使第一接触孔中处于第一相对位置的不同电极层互联；在多层堆叠结构上位于深沟槽另一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第二接触孔；采用第二制备工艺对第二接触孔进行制备，以使第二接触孔中处于第二相对位置的不同电极层互联，得到深沟槽硅电容器。本公开可以有效增加横向介质层的面积，提升深沟槽硅电容器的集成度和容值密度，且能够有效降低制作成本和工艺难度。

天眼查资料显示，上海朗矽科技有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本116.9591万人民币。通过天眼查大数据分析，上海朗矽科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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