西安龙飞电气申请碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利，降低器件导通电阻
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2026-01-21 09:10:56
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国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121357955A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，器件从下至上包括：漏极金属、N+型碳化硅衬底、第一N‑型碳化硅外延层、第二本征型碳化硅外延层、层间绝缘介质和源极金属；在第二本征型碳化硅外延层内有P型体区和N+型源区，N+型源区旁有P+型源区；有纵向沟槽贯穿第二本征型碳化硅外延层至第一N‑型碳化硅外延层内，纵向沟槽底部和至少部分侧壁被P‑型柱区包覆；纵向沟槽内有被层间介质隔离分立的上多晶硅和下多晶硅，上多晶硅上表面被层间绝缘介质覆盖，侧面被栅氧化层包覆；下多晶硅两侧和底部被屏蔽栅氧化层包裹，从而与P‑型柱区隔离。本发明能保护屏蔽栅氧化层，提高器件可靠性，降低器件导通电阻。
天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目29次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可17个。
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来源：市场资讯
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