华虹宏力申请半导体器件及其制造方法专利，有效提升隔离环穿通电压的稳定性
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2026-01-21 11:39:32
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121357949A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法。方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一外延层；向第一外延层中注入第一导电类型的杂质以形成与衬底中埋层连接的第一隔离区；然后在第一外延层上形成第二外延层。本发明通过将传统的单次厚外延和高能注入工艺，分解为两次薄外延和一次低能注入工艺，解决了现有技术中因高能注入导致工艺波动大和晶格损伤严重的问题。该方法显著降低了对光刻工艺的敏感性，减少了缺陷和陷阱，从而有效提升了隔离环穿通电压的稳定性，并改善了半导体器件的电学性能与可靠性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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