镓楠半导体申请新型氮化镓HEMT器件专利，降低过孔的加工难度_厂商动态

镓楠半导体申请新型氮化镓HEMT器件专利，降低过孔的加工难度

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2026-01-24 16:15:00

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种新型氮化镓HEMT器件”的专利，公开号CN121398059A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种新型氮化镓HEMT器件，其中新型氮化镓HEMT器件包括半导体层、位于半导体层上方的第一栅极金属层；设置在半导体层、第一栅极金属层之间的栅极机构，栅极机构包括沿第一方向延伸的第一场板、第二场板、第三场板，第一场板位于半导体层的上方，第二场板位于第一场板的上方，第三场板位于在第二场板的上方；其中，第一场板与第二场板之间通过连接层相连，第二场板与第一栅极金属层之间通过多个第一过孔相连，第三场板与第一栅极金属层之间通过多个第二过孔相连；连接层沿垂直方向避让第一过孔、和/或第二过孔的位置设置。本发明可通过连接层避让第一过孔和第二过孔的设置，降低过孔的加工难度，避免连接层位置的凹陷影响过孔和对应元件的接触。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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