武汉楚兴技术申请图像传感器及其制造方法专利，提高图像传感器的成像性能_厂商动态

武汉楚兴技术申请图像传感器及其制造方法专利，提高图像传感器的成像性能

创始人

2026-01-27 21:44:49

0次

国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121398168A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器及其制造方法，方法包括：利用第一掺杂类型的第一离子对衬底进行目标厚度的掺杂，形成第一掺杂层，在第一掺杂层上形成图案化的掩模层，利用第二掺杂类型的第二离子对第一掺杂层进行掺杂，形成第二掺杂区域，被掩模层遮挡的未被第二离子掺杂的第一掺杂层的区域则为第一掺杂区域，第一掺杂区域和第二掺杂区域形成图像传感器的像素区域以及隔离区域。由此可见，本申请通过对衬底进行整个平面的掺杂形成第一掺杂层，这样通过后续利用图案化的掩模层直接进行第二离子的掺杂就可以同时形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，节约了工艺流程，降低了工艺难度，最终提高图像传感器的成像性能。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可321个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造进行成像技术投资图像传感器武汉专利区域武汉楚兴技术图像传感器掩模层杂层

上一篇：鸿华芯创取得电感组件热压成型装置专利，提高设备的生产效率

下一篇：深南电路：2025年归母净利润预增68%至78%

武汉楚兴技术申请图像传感器及其制造方法专利，提高图像传感器的成像性能

相关内容

热门资讯