重庆芯联微电子申请芯片失效点定位方法专利，能够提高电子束的穿透性
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2026-01-27 22:47:02
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“芯片的失效点定位方法”的专利，公开号CN121385004A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种芯片的失效点定位方法，属于半导体领域。该芯片的失效点定位方法包括提供一厚度在设定范围内的芯片；采用不同能量的脉冲电子束照射所述芯片，获取所述芯片不同结构层的图像；基于所述图像判断所述芯片失效的位置。本发明通过对于不同深度方向的芯片的结构层，对于不同材料的芯片的结构，采用不同能量的脉冲电子束照射芯片，获取芯片不同结构层的图像，根据图像中，失效点的图像与正常的图像的颜色、衬度和形貌不同，来判断芯片失效点的位置，避免高能量的电子束对芯片的结构层造成损伤。同时，也能够避免造成芯片失真。能够提高电子束的穿透性，高穿透性能量的电子束能够穿透芯片的多层结构，定位TSV电迁移、微凸点分层等深层失效。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目935次，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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