新存科技申请存储器及其形成方法专利，提高器件在循环过程中的稳定性_厂商动态

新存科技申请存储器及其形成方法专利，提高器件在循环过程中的稳定性

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2026-01-29 15:41:08

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121419551A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种存储器及其形成方法，包括衬底、位于衬底上的若干分立的存储单元和第一侧壁保护层。存储单元包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的存储功能层，第一电极包括沿第一方向突出于存储功能层的第一突部，第二电极包括沿第一方向突出于存储功能层的第二突部，第一方向与衬底的表面平行。第一侧壁保护层位于存储单元的侧壁，且与第一侧壁、第一突出面、第二侧壁、第二突出面和存储功能层的侧壁接触。沿第一方向突出的第一突部和第二突部增加了元素扩散的横向路径，从而抑制存储功能层中元素在纵向电场的作用下沿着电极与第一侧壁保护层之间的界面扩散出去，进而提高器件在循环过程中的稳定性，增加循环寿命。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息194条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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