美光科技申请存储器阵列和用于形成存储器电路系统专利，提供一种包括竖直交替的绝缘层和导电层的堆叠的存储器阵列
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2026-03-14 23:19:56
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN121665576A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法。本发明提供一种存储器阵列，包括堆叠，其包括竖直交替的绝缘层和导电层。沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层，且排列成集合在水平X方向及Y方向上彼此间隔开。在集合中的个别者中的沟道材料串排列成群组在Y方向上彼此间隔开。群组中的个别者包括沟道材料串的多个行在Y方向上彼此间隔开。紧邻的群组之间的Y方向距离大于个别群组内的紧邻的所述行之间的Y方向距离。堆叠包括在Y方向上彼此间隔开的存储器块。紧邻的存储器块之间具有壁，其延伸穿过堆叠且在X方向上水平伸长，穿过集合中的多者且穿过个别集合中的个别群组之间的空间。公开了方法。
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来源：市场资讯
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