重庆芯联微电子申请硅锗工艺源漏极形成方法及半导体结构专利，消除硅锗工艺中形成的栅极高差问题
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种硅锗工艺后的源漏极形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN121665662A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种硅锗工艺后的源漏极形成方法及半导体结构，方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域和所述NMOS区域上形成有栅极结构，所述栅极结构存在高度差；在所述衬底上依次形成抗反射层和光刻胶层，所述抗反射层覆盖所述栅极结构；对所述光刻胶层并进行图形化处理，暴露所述NMOS区域；以所述光刻胶层为掩膜进行刻蚀处理，移除部分所述抗反射层和所述栅极结构，直至所述栅极结构的高度差减少至目标范围内；以所述光刻胶层为掩膜，移除剩余的所述抗反射层；以所述光刻胶层为掩膜，在所述NMOS区域形成源极和漏极。本方案不用采用额外的流程，即可在完成源漏注入的同时消除硅锗工艺中形成的栅极高差问题，避免了栅极高差对于离子注入以及后续工艺的负面影响。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目932次，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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