湖北星辰技术申请半导体结构及其形成方法专利，通过红外感应材料层产生的红外光进行对准以形成第二通孔_厂商动态

湖北星辰技术申请半导体结构及其形成方法专利，通过红外感应材料层产生的红外光进行对准以形成第二通孔

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2026-03-26 16:34:11

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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121729068A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，晶圆具有沿晶圆的厚度方向相对的第一表面和第二表面；在晶圆内形成第一通孔，第一通孔由晶圆的第一表面向第二表面方向延伸但未贯穿晶圆的第二表面；形成覆盖第一通孔侧壁与底壁的红外感应材料层；在所述第一通孔内填充导电材料层，导电材料层覆盖红外感应材料层；提供入射光照射晶圆的第二表面，红外感应材料层在入射光的照射下产生红外光；从第二表面通过红外感应材料层产生的红外光进行对准，以在所述晶圆内形成第二通孔，第二通孔由晶圆的第二表面向第一表面方向延伸，第一通孔与第二通孔连通。

天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3680.3242万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目84次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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