爱思开海力士申请半导体封装和制造该半导体封装的方法专利，第一厚度不同于第二厚度
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2026-04-02 09:57:32
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装和制造该半导体封装的方法”的专利，公开号CN121772818A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体封装和制造该半导体封装的方法。一种半导体封装包括：封装基板；第一半导体管芯，其安装在封装基板上方；第二半导体管芯，其在第一半导体管芯上方在第一方向上偏移层叠；第三半导体管芯，其在第二半导体管芯上方在第二方向上偏移层叠；以及第四半导体管芯，其在第三半导体管芯上方在第二方向上偏移层叠。第一半导体管芯至第四半导体管芯中的每一个包括半导体芯片和粘合层。第一粘合层具有第一厚度。第二粘合层至第四粘合层中的每一个具有第二厚度。第一厚度不同于第二厚度。
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来源：市场资讯
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