新昇半导体申请半导体高温反应腔温度偏差校准方法专利，有效解决传统校准方法导致的产能损失和硬件损伤问题_厂商动态

新昇半导体申请半导体高温反应腔温度偏差校准方法专利，有效解决传统校准方法导致的产能损失和硬件损伤问题

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2026-04-04 19:35:23

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国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体高温反应腔的温度偏差校准方法”的专利，公开号CN121781120A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体高温反应腔的温度偏差校准方法，属于半导体制造工艺技术领域。该方法包括：在基准半导体高温反应腔中，使用多个同源半导体衬底在不同基准温度下进行薄膜生长，并测量其形变量变化值，以建立温度‑形变量变化值的基准数学模型；随后，在待校准半导体高温反应腔保持工艺温度的状态下，将一同源测试半导体衬底置入并在目标工艺温度下进行薄膜生长，测量其形变量变化值并代入基准数学模型，计算出等效工艺温度；通过比较等效工艺温度与目标工艺温度，确定温度偏差。该方法利用同源半导体衬底作为温度传感媒介，实现了在不中断生产、不损伤设备前提下的精准校准，有效解决了传统校准方法导致的产能损失和硬件损伤问题。

天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2078次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息762条，此外企业还拥有行政许可225个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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