国家知识产权局信息显示,索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光检测装置、光检测装置的制造方法和电子设备”的专利,公开号CN122375229A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提高了光电转换区域中元件的布置自由度。该光检测装置包括半导体层和光电转换区域,该光电转换区域由分离区域分隔并设置在半导体层中。分离区域包括:第一分离区域,包括从半导体层的第一表面部分侧朝向第二表面部分侧延伸的第一挖掘部分;以及第二分离区域,其通过选择性地去除第一挖掘部分的第一表面部分侧上的部分而形成,且包括第二挖掘部分,第二挖掘部分形成为使得与一个方向(半导体层的厚度方向)交叉的横向方向上的宽度比第一挖掘部分在短边方向上的宽度宽。光电转换区域包括通过从第一挖掘部分的内侧将杂质引入到第一挖掘部分周围的半导体层中而形成的钉扎层。钉扎层包括与第一分离区域一起从半导体层的第一表面部分向第二表面部分侧延伸的第一部分,以及与第一分离区域一起从第二分离区域的底部向半导体层的第二表面部分侧延伸的第二部分。
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来源:市场资讯