新昇半导体申请标准硅片及校正方法专利，显著提升表面形貌量测准确性
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2026-07-11 13:40:42
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国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“标准硅片及平整度量测设备的校正方法”的专利，公开号CN122373762A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于平整度量测设备校准的标准硅片，该标准硅片包括硅衬底层以及形成于其表面的粗糙层。该粗糙层的表面粗糙度可在0.1nm~2nm范围内精确调控，且其粗糙度均匀性不大于35%。本发明通过在衬底上直接形成粗糙层，从根本上解决了传统颗粒涂布式标准片存在的颗粒易脱落、稳定性差、均匀性难以控制等问题。该标准硅片具有结构稳定、参数可控、均匀性高等特点，能够为原子力显微镜、扫描电子显微镜等表面平整度量测设备提供可靠、可溯源的校准基准，显著提升半导体制造工艺中表面形貌量测的准确性与一致性。
天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2096次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息777条，此外企业还拥有行政许可233个。
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