中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体晶体管性能
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2026-07-15 06:42:30
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122396002A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成由牺牲层和第一介电层交替层叠构成的堆叠结构，所述堆叠结构两侧的基底上形成有源漏掺杂层，所述源漏掺杂层覆盖所述堆叠结构两侧侧壁；去除所述堆叠结构中的牺牲层；去除所述堆叠结构中的牺牲层之后，在所述第一介电层的顶面和底面上形成沟道层，所述沟道层连接两侧的源漏掺杂层；形成环绕所述第一介电层并覆盖所述沟道层的栅极结构层。本发明实施例有利于提高半导体晶体管性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息232条，专利信息15056条，此外企业还拥有行政许可484个。
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来源：市场资讯
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